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3DF1E晶体管资料

  • 3DF1E别名:3DF1E三极管、3DF1E晶体管、3DF1E晶体三极管

  • 3DF1E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DF1E制作材料:Si-NPN

  • 3DF1E性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DF1E封装形式:直插封装

  • 3DF1E极限工作电压:350V

  • 3DF1E最大电流允许值:1.5A

  • 3DF1E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DF1E引脚数:2

  • 3DF1E最大耗散功率:10W

  • 3DF1E放大倍数

  • 3DF1E图片代号:E-44

  • 3DF1Evtest:350

  • 3DF1Ehtest:999900

  • 3DF1Eatest:1.5

  • 3DF1Ewtest:10

  • 3DF1E代换 3DF1E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DF1E

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO=200V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):1.5V(Max) @IC=0.25A APPLICATIONS · Low current high speed switching applications · Low power audio amplifier

ISC

无锡固电

3DF1E

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更新时间:2025-10-30 17:23:00
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