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3DD7I晶体管资料

  • 3DD7I别名:3DD7I三极管、3DD7I晶体管、3DD7I晶体三极管

  • 3DD7I生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD7I制作材料:Si-NPN

  • 3DD7I性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD7I封装形式:直插封装

  • 3DD7I极限工作电压:200V

  • 3DD7I最大电流允许值:10A

  • 3DD7I最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD7I引脚数:2

  • 3DD7I最大耗散功率:75W

  • 3DD7I放大倍数

  • 3DD7I图片代号:E-44

  • 3DD7Ivtest:200

  • 3DD7Ihtest:999900

  • 3DD7Iatest:10

  • 3DD7Iwtest:75

  • 3DD7I代换 3DD7I用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min)

文件:191.09 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistors

文件:143.66 Kbytes Page:3 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 250V(Min)

文件:191.09 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 300V(Min)

文件:191.44 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 400V(Min)

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ISC

无锡固电

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