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3DD6E晶体管资料

  • 3DD6E别名:3DD6E三极管、3DD6E晶体管、3DD6E晶体三极管

  • 3DD6E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD6E制作材料:Si-NPN

  • 3DD6E性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD6E封装形式:直插封装

  • 3DD6E极限工作电压:80V

  • 3DD6E最大电流允许值:5A

  • 3DD6E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD6E引脚数:2

  • 3DD6E最大耗散功率:50W

  • 3DD6E放大倍数

  • 3DD6E图片代号:E-44

  • 3DD6Evtest:80

  • 3DD6Ehtest:999900

  • 3DD6Eatest:5

  • 3DD6Ewtest:50

  • 3DD6E代换 3DD6E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD6E

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:265.66 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

更新时间:2026-7-29 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CHINA
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