3DD505E晶体管资料
3DD505E别名：3DD505E三极管、3DD505E晶体管、3DD505E晶体三极管
3DD505E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD505E制作材料：Si-NPN
3DD505E性质：开关管 （S）_功率放大 （L）
3DD505E封装形式：直插封装
3DD505E极限工作电压：900V
3DD505E最大电流允许值：3A
3DD505E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD505E引脚数：2
3DD505E最大耗散功率：30W
3DD505E放大倍数：
3DD505E图片代号：E-44
3DD505Evtest：900
3DD505Ehtest：999900
- 3DD505Eatest：3
3DD505Ewtest：30
3DD505E代换 3DD505E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD505E | 3DD505E |   |
更新时间：2025-12-25 16:30:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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国产 |
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