3DD30M晶体管资料
3DD30M别名：3DD30M三极管、3DD30M晶体管、3DD30M晶体三极管
3DD30M生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD30M制作材料：Si-NPN
3DD30M性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
3DD30M封装形式：直插封装
3DD30M极限工作电压：50V
3DD30M最大电流允许值：5A
3DD30M最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD30M引脚数：2
3DD30M最大耗散功率：30W
3DD30M放大倍数：
3DD30M图片代号：E-44
3DD30Mvtest：50
3DD30Mhtest：999900
- 3DD30Matest：5
3DD30Mwtest：30
3DD30M代换 3DD30M用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD30M | 3DD30M |   |
更新时间：2024-4-24 17:31:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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专注配单,只做原装进口现货 |
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