3DD30-LE晶体管资料
3DD30-LE别名:3DD30-LE三极管、3DD30-LE晶体管、3DD30-LE晶体三极管
3DD30-LE生产厂家:中国大陆半导体企业
3DD30-LE制作材料:Si-NPN
3DD30-LE性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)
3DD30-LE封装形式:直插封装
3DD30-LE极限工作电压:250V
3DD30-LE最大电流允许值:5A
3DD30-LE最大工作频率:<1MHZ或未知
3DD30-LE引脚数:2
3DD30-LE最大耗散功率:30W
3DD30-LE放大倍数:
3DD30-LE图片代号:E-44
3DD30-LEvtest:250
3DD30-LEhtest:999900
- 3DD30-LEatest:5
3DD30-LEwtest:30
3DD30-LE代换 3DD30-LE用什么型号代替:
更新时间:2024-4-19 18:00:02
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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