3DD30-LB晶体管资料
3DD30-LB别名：3DD30-LB三极管、3DD30-LB晶体管、3DD30-LB晶体三极管
3DD30-LB生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD30-LB制作材料：Si-NPN
3DD30-LB性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
3DD30-LB封装形式：直插封装
3DD30-LB极限工作电压：100V
3DD30-LB最大电流允许值：5A
3DD30-LB最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD30-LB引脚数：2
3DD30-LB最大耗散功率：30W
3DD30-LB放大倍数：
3DD30-LB图片代号：E-44
3DD30-LBvtest：100
3DD30-LBhtest：999900
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3DD30-LBwtest：30
3DD30-LB代换 3DD30-LB用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD30-LB | 3DD30-LB |   |
更新时间：2025-6-18 16:04:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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HUAJING |
1926+ |
TO-3P |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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华晶 |
23+ |
TO-252 |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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CJ/长电 |
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