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3DD200H晶体管资料

  • 3DD200H别名:3DD200H三极管、3DD200H晶体管、3DD200H晶体三极管

  • 3DD200H生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD200H制作材料:Si-NPN

  • 3DD200H性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 3DD200H封装形式:直插封装

  • 3DD200H极限工作电压:350V

  • 3DD200H最大电流允许值:3A

  • 3DD200H最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD200H引脚数:2

  • 3DD200H最大耗散功率:30W

  • 3DD200H放大倍数

  • 3DD200H图片代号:E-44

  • 3DD200Hvtest:350

  • 3DD200Hhtest:999900

  • 3DD200Hatest:3

  • 3DD200Hwtest:30

  • 3DD200H代换 3DD200H用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High collector-base breakdown voltage : VCBO=250V APPLICATIONS ·For TV horizontal output applications

ISC

无锡固电

更新时间:2026-7-29 11:10:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISC/固电
23+
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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