3DD200E晶体管资料
3DD200E别名：3DD200E三极管、3DD200E晶体管、3DD200E晶体三极管
3DD200E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD200E制作材料：Si-NPN
3DD200E性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
3DD200E封装形式：贴片封装
3DD200E极限工作电压：
3DD200E最大电流允许值：25A
3DD200E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD200E引脚数：3
3DD200E最大耗散功率：200W
3DD200E放大倍数：
3DD200E图片代号：F-13
3DD200Evtest：0
3DD200Ehtest：999900
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3DD200Ewtest：200
3DD200E代换 3DD200E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High collector-base breakdown voltage : VCBO=250V APPLICATIONS ·For TV horizontal output applications | ISC 无锡固电 |   |
更新时间：2026-7-29 8:01:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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24+ |
原厂封装 |
8060 |
原装现货假一罚十 |
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国产 |
24+ |
TO-3 |
10000 |
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ISC/固电 |
23+ |
F2 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
3DD200E规格书下载地址
3DD200E参数引脚图相关
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