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3DD200-LB晶体管资料

  • 3DD200-LB别名:3DD200-LB三极管、3DD200-LB晶体管、3DD200-LB晶体三极管

  • 3DD200-LB生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD200-LB制作材料:Si-NPN

  • 3DD200-LB性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 3DD200-LB封装形式:直插封装

  • 3DD200-LB极限工作电压:200V

  • 3DD200-LB最大电流允许值:20A

  • 3DD200-LB最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD200-LB引脚数:2

  • 3DD200-LB最大耗散功率:340W

  • 3DD200-LB放大倍数

  • 3DD200-LB图片代号:E-44

  • 3DD200-LBvtest:200

  • 3DD200-LBhtest:999900

  • 3DD200-LBatest:20

  • 3DD200-LBwtest:340

  • 3DD200-LB代换 3DD200-LB用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High collector-base breakdown voltage : VCBO=250V APPLICATIONS ·For TV horizontal output applications

ISC

无锡固电

更新时间:2026-7-29 14:31:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
国产
24+
TO-3
10000
24+
原厂封装
8060
原装现货假一罚十
ISC/固电
23+
F2
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详

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