3DD164E晶体管资料
3DD164E别名：3DD164E三极管、3DD164E晶体管、3DD164E晶体三极管
3DD164E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD164E制作材料：Si-NPN
3DD164E性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD164E封装形式：直插封装
3DD164E极限工作电压：250V
3DD164E最大电流允许值：20A
3DD164E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD164E引脚数：2
3DD164E最大耗散功率：100W
3DD164E放大倍数：
3DD164E图片代号：E-44
3DD164Evtest：250
3DD164Ehtest：999900
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3DD164Ewtest：100
3DD164E代换 3DD164E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD164E | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-3 packaging ·Large collector current ·Low collector saturation voltage ·High power dissipation ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in DC-DC converter ·Driver of solenoid or motor | ISC 无锡固电 |   | |
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：276.79 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
3DD164E规格书下载地址
3DD164E参数引脚图相关
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