3DD155G晶体管资料

  • 3DD155G别名:3DD155G三极管、3DD155G晶体管、3DD155G晶体三极管

  • 3DD155G生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD155G制作材料:Si-NPN

  • 3DD155G性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD155G封装形式:直插封装

  • 3DD155G极限工作电压:400V

  • 3DD155G最大电流允许值:4A

  • 3DD155G最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD155G引脚数:2

  • 3DD155G最大耗散功率:20W

  • 3DD155G放大倍数

  • 3DD155G图片代号:E-44

  • 3DD155Gvtest:400

  • 3DD155Ghtest:999900

  • 3DD155Gatest:4

  • 3DD155Gwtest:20

  • 3DD155G代换 3DD155G用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE= 15-120@IC= 1A ·Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 1A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for B&W TV horizontal output , regulated power supply and powe

ISC

无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:272.41 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 20:00:02
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