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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE= 15-120@IC= 1A ·Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 1A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for B&W TV horizontal output , regulated power supply and powe

ISC

无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

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无锡固电

更新时间:2025-12-27 15:22:01
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