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3DD13005F

400V,4A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

GALAXY

银河微电

硅三重扩散NPN双极型晶体管

3DD13005 F8是硅NPN型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。 ●开关损耗低\n●反向漏电流小\n●高温特性好\n●合适的开关速度\n●可靠性高;

CRMICRO

华润微电子

双极性晶体管

CRMICRO

华润微电子

丝印代码:D13005ED;HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

APPLICATIONS Energy-saving ligh Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES 1. High breakdown voltage 2. High current capability 3. High switching speed 4. High reliability 5. RoHS product APPLICATIONS 1. Energy-saving ligh 2. Electronic ballasts 3. High frequency switching power supply 4. High frequency power transform 5. Comm

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

Plastic-Encapsulated Transistors

文件:58.49 Kbytes Page:1 Pages

TEL

TRANSISTOR竊?NPN 竊

文件:286.68 Kbytes Page:3 Pages

JIANGSU

长电科技

NPN SILICON TRANSISTOR

文件:84.28 Kbytes Page:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

3DD13005F产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb Free:

    YES

  • Halide free:

    YES

  • Reach:

    YES

  • RoHS:

    YES

  • Marketing Status:

    Active

  • Polarity:

    NPN

  • V(BR)CEO(V)min.:

    400

  • IC(A):

    4

  • hFEmin.:

    15

  • hFEmax.:

    35

  • VCE (sat)(V):

    1

  • IB(mA):

    500

  • fT(MHz)min.:

    5

  • PD(W)max.:

    2

  • TJ(°C)max.:

    150

  • TJ(°C)min.:

    -55

  • ECCN(US):

    EAR99

  • PackageOutlines:

    ITO-220AB

更新时间:2026-5-23 23:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
华晶
TO-126F
80000000
2013
NA
24+
TO-3
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
红讯牌
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CAN-2
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无锡华润华晶微
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红讯牌
19+
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20000
原装现货假一罚十

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