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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
3DD13003A-R-T-B-A

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

FEATURES ●Highbreakdownvoltage ●Highcurrentcapability ●Highswitchingspeed ●Highreliability ●RoHSproduct APPLICATIONS ●Batterychanger ●Electronicballasts ●Highfrequencyswitchingpowersupply ●Highfrequencypowertransform ●Commonlypoweramplifiercircuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JSMC
3DD13003

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:700V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
3DD13003

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:700V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

TEL
3DD13003

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

FEATURES ●Highbreakdownvoltage ●Highcurrentcapability ●Highswitchingspeed ●Highreliability ●RoHSproduct APPLICATIONS ●Electronicballasts ●Highfrequencyswitchingpowersupply ●Highfrequencypowertransform ●Commonlypoweramplifiercircuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JSMC
3DD13003

HighVoltageFastSwitchingNPNPowerTransistor

FEATURES ●PC=1W(Mountedonceramicsubstrate). ●Highspeedswitching. ●Diesize:1.34*1.34 ●Smallflatpackage. APPLICATIONS ●Mainlyusedforcompactelectronicenergysavinglamps, electronicballastandmobilephonechargers powerswitchcircuit

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
3DD13003

TRANSISTOR竊?NPN竊

文件：887.95 Kbytes Page：3 Pages

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU

3DD13003A-R-T-B-A供应商更多...

更新时间：2025-6-25 18:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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