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TRANSISTOR (NPN)

FEATURE Power dissipation PCM: 900 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3DD13002: 1 A 3DD13002B: 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

JIANGSU

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TRANSISTOR竊?NPN 竊

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TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors

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TRANSISTOR(NPN)

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TRANSISTOR竊?NPN 竊

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更新时间:2026-5-24 20:00:01
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