| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM: 900 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3DD13002: 1 A 3DD13002B: 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | JIANGSU 长电科技 |   | ||
TRANSISTOR竊?NPN 竊 文件：905.6 Kbytes Page：3 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：51.18 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
TRANSISTOR(NPN) 文件：1.17685 Mbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
TRANSISTOR竊?NPN 竊 文件：877.28 Kbytes Page：3 Pages | JIANGSU 长电科技 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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