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位置：首页 > IC中文资料第5726页 > 3DD13002

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD13002

TRANSISTOR (NPN)

FEATURE Power dissipation PCM: 900 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3DD13002: 1 A 3DD13002B: 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

JIANGSU

长电科技

3DD13002

0.8A, 600V NPN Plastic-Encapsulated Transistor

文件：297.11 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

喜可士

3DD13002

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

文件：2.26471 Mbytes Page：2 Pages

DGNJDZ

南晶电子

3DD13002

Plastic-Encapsulated Transistors

文件：56.56 Kbytes Page：1 Pages

TEL

3DD13002

TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors

文件：51.18 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

3DD13002

TRANSISTOR(NPN)

文件：1.17685 Mbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

3DD13002

TRANSISTOR竊?NPN 竊

文件：877.28 Kbytes Page：3 Pages

JIANGSU

长电科技

3DD13002

TRANSISTOR竊?NPN 竊

文件：905.6 Kbytes Page：3 Pages

JIANGSU

长电科技

3DD13002

电子节能灯、镇流器专用开关晶体管

JSCJ

长晶科技

3DD13002B

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURE Power Switching Applications

DGNJDZ

南晶电子

3DD13002B

TRANSISTOR (NPN)

FEATURE Power dissipation PCM: 900 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3DD13002: 1 A 3DD13002B: 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

JIANGSU

长电科技

3DD13002B

Switch Mode NPN Transistors

Switch Mode NPN Transistors P/b Lead(Pb)-Free

WEITRON

3DD13002B-TA

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURE Power Switching Applications

DGNJDZ

南晶电子

3DD13002B-TO-92

TRANSISTOR (NPN)

FEATURE Power dissipation PCM: 900 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3DD13002: 1 A 3DD13002B: 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

JIANGSU

长电科技

3DD13002E

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD13002E-O-M-N-B

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD13002E-O-M-N-C

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD13002S

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD13002S

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Power switching applications

DGNJDZ

南晶电子

3DD13002S-O-M-N-B

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD13002S-O-M-N-C

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD13002S-O-MS-N-B

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD13002S-O-MS-N-C

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD13002S-O-T-B-A

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD13002S-O-T-N-C

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD13002S-TA

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Power switching applications

DGNJDZ

南晶电子

3DD13002-TO-92

TRANSISTOR (NPN)

FEATURE Power dissipation PCM: 900 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3DD13002: 1 A 3DD13002B: 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

JIANGSU

长电科技

3DD13002_15

NPN Transistors

文件：1.37512 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002A

NPN Transistors

文件：1.37512 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002A-HF

NPN Transistors

文件：1.45349 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002B

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

文件：2.26471 Mbytes Page：2 Pages

DGNJDZ

南晶电子

3DD13002B

NPN Transistors

文件：1.37512 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002B

TRANSISTOR(NPN)

文件：1.57844 Mbytes Page：4 Pages

JIANGSU

长电科技

3DD13002B_16

TRANSISTOR(NPN)

文件：1.57844 Mbytes Page：4 Pages

JIANGSU

长电科技

3DD13002B1

双极性晶体管

CRMICRO

华润微电子

3DD13002B1D

双极性晶体管

CRMICRO

华润微电子

3DD13002B-HF

NPN Transistors

文件：1.45349 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002C

NPN Transistors

文件：1.37512 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002C-HF

NPN Transistors

文件：1.45349 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002D

NPN Transistors

文件：1.37512 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002D-HF

NPN Transistors

文件：1.45349 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002E

NPN Transistors

文件：1.37512 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002E-HF

NPN Transistors

文件：1.45349 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002F

NPN Transistors

文件：1.37512 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002F-HF

NPN Transistors

文件：1.45349 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002-HF_15

NPN Transistors

文件：1.45349 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

3DD13002N46

TRANSISTOR(NPN)

文件：2.28832 Mbytes Page：4 Pages

JIANGSU

长电科技

3DD13002S

TRANSISTOR (NPN)

文件：408.01 Kbytes Page：3 Pages

JIANGSU

长电科技

3DD13002S

High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor

文件：157.72 Kbytes Page：3 Pages

BILIN

银河微电

3DD13002-TO-126

TRANSISTOR竊?NPN 竊

文件：905.6 Kbytes Page：3 Pages

JIANGSU

长电科技

3DD13002-TO-251

TRANSISTOR竊?NPN 竊

文件：877.28 Kbytes Page：3 Pages

JIANGSU

长电科技

3DD13002产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3DD13002

  • 功能描述

    (HAROM)TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

3DD13002供应商更多...

更新时间：2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
3DD13002
华润华晶
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NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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深圳市纳艾斯科技有限公司
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3DD13002
CJ/长晶
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深圳市凯睿晟科技有限公司
3DD13002
CJ/长电
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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票
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深圳市华斯顿科技有限公司
3DD13002
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3DD13002
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3DD13002
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3DD13002RUD
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