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3DD12E-T晶体管资料

  • 3DD12E-T别名:3DD12E-T三极管、3DD12E-T晶体管、3DD12E-T晶体三极管

  • 3DD12E-T生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD12E-T制作材料:Si-NPN

  • 3DD12E-T性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD12E-T封装形式:特殊封装

  • 3DD12E-T极限工作电压:250V

  • 3DD12E-T最大电流允许值:50A

  • 3DD12E-T最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD12E-T引脚数:3

  • 3DD12E-T最大耗散功率:500W

  • 3DD12E-T放大倍数

  • 3DD12E-T图片代号:F-23

  • 3DD12E-Tvtest:250

  • 3DD12E-Thtest:999900

  • 3DD12E-Tatest:50

  • 3DD12E-Twtest:500

  • 3DD12E-T代换 3DD12E-T用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector Current-Continuous -IC=16A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers

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DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector Current-Continuous -IC=25A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers

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