3DD12E-T晶体管资料
3DD12E-T别名：3DD12E-T三极管、3DD12E-T晶体管、3DD12E-T晶体三极管
3DD12E-T生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD12E-T制作材料：Si-NPN
3DD12E-T性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD12E-T封装形式：特殊封装
3DD12E-T极限工作电压：250V
3DD12E-T最大电流允许值：50A
3DD12E-T最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD12E-T引脚数：3
3DD12E-T最大耗散功率：500W
3DD12E-T放大倍数：
3DD12E-T图片代号：F-23
3DD12E-Tvtest：250
3DD12E-Thtest：999900
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3DD12E-Twtest：500
3DD12E-T代换 3DD12E-T用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector Current-Continuous -IC=16A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers | ISC 无锡固电 |   | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector Current-Continuous -IC=25A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers | ISC 无锡固电 | | ||
Buck Boost Evaluation Kit 文件：1.33373 Mbytes Page：19 Pages | CREE 科锐 | |
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3DD12E-T规格书下载地址
3DD12E-T参数引脚图相关
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