3DD12E-T晶体管资料
3DD12E-T别名：3DD12E-T三极管、3DD12E-T晶体管、3DD12E-T晶体三极管
3DD12E-T生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD12E-T制作材料：Si-NPN
3DD12E-T性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD12E-T封装形式：特殊封装
3DD12E-T极限工作电压：250V
3DD12E-T最大电流允许值：50A
3DD12E-T最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD12E-T引脚数：3
3DD12E-T最大耗散功率：500W
3DD12E-T放大倍数：
3DD12E-T图片代号：F-23
3DD12E-Tvtest：250
3DD12E-Thtest：999900
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3DD12E-Twtest：500
3DD12E-T代换 3DD12E-T用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=600V(Min) ·CollectorCurrent-Continuous -IC=16A APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=600V(Min) ·CollectorCurrent-Continuous -IC=25A APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
BuckBoostEvaluationKit 文件：1.33373 Mbytes Page：19 Pages | CreeCree, Inc 科锐 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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常州银河 |
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NA/ |
135000 |
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