3DD12E晶体管资料

  • 3DD12E别名:3DD12E三极管、3DD12E晶体管、3DD12E晶体三极管

  • 3DD12E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD12E制作材料:Si-NPN

  • 3DD12E性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD12E封装形式:直插封装

  • 3DD12E极限工作电压:600V

  • 3DD12E最大电流允许值:5A

  • 3DD12E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD12E引脚数:2

  • 3DD12E最大耗散功率:50W

  • 3DD12E放大倍数

  • 3DD12E图片代号:E-44

  • 3DD12Evtest:600

  • 3DD12Ehtest:999900

  • 3DD12Eatest:5

  • 3DD12Ewtest:50

  • 3DD12E代换 3DD12E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD12E

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector Current-Continuous -IC=16A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector Current-Continuous -IC=25A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers

ISC

无锡固电

Buck Boost Evaluation Kit

文件:1.33373 Mbytes Page:19 Pages

Cree

科锐

更新时间:2025-12-25 16:18:00
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三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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