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3DD12晶体管资料

  • 3DD12A别名:3DD12A三极管、3DD12A晶体管、3DD12A晶体三极管

  • 3DD12A生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD12A制作材料:Si-NPN

  • 3DD12A性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD12A封装形式:直插封装

  • 3DD12A极限工作电压:100V

  • 3DD12A最大电流允许值:5A

  • 3DD12A最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD12A引脚数:2

  • 3DD12A最大耗散功率:50W

  • 3DD12A放大倍数

  • 3DD12A图片代号:E-44

  • 3DD12Avtest:100

  • 3DD12Ahtest:999900

  • 3DD12Aatest:5

  • 3DD12Awtest:50

  • 3DD12A代换 3DD12A用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector Current-Continuous -IC=16A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector Current-Continuous -IC=25A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers

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双极性晶体管

CRMICRO

华润微电子

双极性晶体管

CRMICRO

华润微电子

双极型晶体管--电光源用

CRMICRO

华润微电子

Buck Boost Evaluation Kit

文件:1.33373 Mbytes Page:19 Pages

CREE

科锐

3DD12产品属性

  • 类型

    描述

  • Package:

    die

  • Polarity:

    N

  • PTa(W):

    1.25

  • IC(A):

    2.5

  • VCBO(V)1:

    700

  • VCBO(V)2:

    780

  • VCEO(V)1:

    400

  • VCEO(V)2:

    450

  • Vebo(V)1:

    9

  • Vebo(V)2:

    15

  • Vcesat(V)1:

    1

  • Vcesat(V)2:

    0.3

  • hFE1:

    15-25

  • hFE2:

    15-25

  • ts(μs)1:

    2.5-4.5

  • ts(μs)2:

    3.5-4.5

  • Special1:

    /

  • Special2:

    /

  • Tech:

    /

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