3DD10B-T晶体管资料
3DD10B-T别名：3DD10B-T三极管、3DD10B-T晶体管、3DD10B-T晶体三极管
3DD10B-T生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD10B-T制作材料：Si-NPN
3DD10B-T性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD10B-T封装形式：直插封装
3DD10B-T极限工作电压：100V
3DD10B-T最大电流允许值：20A
3DD10B-T最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD10B-T引脚数：2
3DD10B-T最大耗散功率：200W
3DD10B-T放大倍数：
3DD10B-T图片代号：E-63
3DD10B-Tvtest：100
3DD10B-Thtest：999900
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3DD10B-Twtest：200
3DD10B-T代换 3DD10B-T用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD10B-T | 3DD10B-T |   |
更新时间：2024-4-26 8:04:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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华晶 |
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TO126F |
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优势现货可17%税 |
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华晶 |
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华晶 |
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华润华晶 |
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