3DD101E晶体管资料
3DD101E别名：3DD101E三极管、3DD101E晶体管、3DD101E晶体三极管
3DD101E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD101E制作材料：Si-NPN
3DD101E性质：行输出 （HA）_场输出 （VA）
3DD101E封装形式：直插封装
3DD101E极限工作电压：350V
3DD101E最大电流允许值：2A
3DD101E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD101E引脚数：2
3DD101E最大耗散功率：50W
3DD101E放大倍数：
3DD101E图片代号：E-44
3DD101Evtest：350
3DD101Ehtest：999900
- 3DD101Eatest：2
3DD101Ewtest：50
3DD101E代换 3DD101E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD101E | isc Silicon NPN Power Transistor 文件：202.81 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.) 文件：191.03 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.) 文件：191.04 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：203.22 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：202.81 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：202.82 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HUAJING/华晶 |
24+ |
TO-126 |
60000 |
||||
ISC/固电 |
23+ |
F-2 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
上海 |
24+ |
NA/ |
21 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
NA |
24+ |
TO-3 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
上海 |
23+ |
TO-3 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
XILINX |
BGA |
6850 |
莱克讯每片来自原厂原盒原包装假一罚十价优 |
||||
上海 |
23+ |
TO-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
金星 |
24+ |
1 |
|||||
华晶 |
25+ |
TO-126 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
卫光 |
22+ |
TO-3 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
3DD101E芯片相关品牌
3DD101E规格书下载地址
3DD101E参数引脚图相关
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