3DD101E晶体管资料
3DD101E别名：3DD101E三极管、3DD101E晶体管、3DD101E晶体三极管
3DD101E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD101E制作材料：Si-NPN
3DD101E性质：行输出 （HA）_场输出 （VA）
3DD101E封装形式：直插封装
3DD101E极限工作电压：350V
3DD101E最大电流允许值：2A
3DD101E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD101E引脚数：2
3DD101E最大耗散功率：50W
3DD101E放大倍数：
3DD101E图片代号：E-44
3DD101Evtest：350
3DD101Ehtest：999900
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3DD101Ewtest：50
3DD101E代换 3DD101E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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3DD101E | isc Silicon NPN Power Transistor 文件：202.81 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
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isc Silicon NPN Power Transistor 文件：203.22 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：202.81 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：202.82 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISC/固电 |
23+ |
F-2 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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3DD101E参数引脚图相关
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