3DD101B晶体管资料

  • 3DD101B别名:3DD101B三极管、3DD101B晶体管、3DD101B晶体三极管

  • 3DD101B生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD101B制作材料:Si-NPN

  • 3DD101B性质:行输出 (HA)_场输出 (VA)

  • 3DD101B封装形式:直插封装

  • 3DD101B极限工作电压:200V

  • 3DD101B最大电流允许值:2A

  • 3DD101B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD101B引脚数:2

  • 3DD101B最大耗散功率:50W

  • 3DD101B放大倍数

  • 3DD101B图片代号:E-44

  • 3DD101Bvtest:200

  • 3DD101Bhtest:999900

  • 3DD101Batest:2

  • 3DD101Bwtest:50

  • 3DD101B代换 3DD101B用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD101B

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.)

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无锡固电

3DD101B

isc Silicon NPN Power Transistor

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无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

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无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.)

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无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

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更新时间:2025-12-25 14:31:00
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