3DD101B晶体管资料
3DD101B别名：3DD101B三极管、3DD101B晶体管、3DD101B晶体三极管
3DD101B生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD101B制作材料：Si-NPN
3DD101B性质：行输出 （HA）_场输出 （VA）
3DD101B封装形式：直插封装
3DD101B极限工作电压：200V
3DD101B最大电流允许值：2A
3DD101B最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD101B引脚数：2
3DD101B最大耗散功率：50W
3DD101B放大倍数：
3DD101B图片代号：E-44
3DD101Bvtest：200
3DD101Bhtest：999900
- 3DD101Batest：2
3DD101Bwtest：50
3DD101B代换 3DD101B用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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3DD101B | Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=150V(Min.) 文件：191.04 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
3DD101B | iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：203.22 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：203.22 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.) 文件：191.03 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：202.81 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：202.82 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
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