3DD100E晶体管资料
3DD100E别名：3DD100E三极管、3DD100E晶体管、3DD100E晶体三极管
3DD100E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD100E制作材料：Si-NPN
3DD100E性质：行输出 （HA）_场输出 （VA）
3DD100E封装形式：直插封装
3DD100E极限工作电压：350V
3DD100E最大电流允许值：1.5A
3DD100E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD100E引脚数：2
3DD100E最大耗散功率：20W
3DD100E放大倍数：
3DD100E图片代号：E-44
3DD100Evtest：350
3DD100Ehtest：999900
- 3DD100Eatest：1.5
3DD100Ewtest：20
3DD100E代换 3DD100E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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3DD100E | iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：205.29 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：204.98 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：204.97 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
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iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：205.29 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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