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3DD1000G晶体管资料

  • 3DD1000G别名:3DD1000G三极管、3DD1000G晶体管、3DD1000G晶体三极管

  • 3DD1000G生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD1000G制作材料:Si-NPN

  • 3DD1000G性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD1000G封装形式:直插封装

  • 3DD1000G极限工作电压:400V

  • 3DD1000G最大电流允许值:100A

  • 3DD1000G最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD1000G引脚数:2

  • 3DD1000G最大耗散功率:1000W

  • 3DD1000G放大倍数

  • 3DD1000G图片代号:E-44

  • 3DD1000Gvtest:400

  • 3DD1000Ghtest:999900

  • 3DD1000Gatest:100

  • 3DD1000Gwtest:1000

  • 3DD1000G代换 3DD1000G用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD1000G

3DD1000G

 
更新时间:2026-7-29 9:36:02
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