3DD1000G晶体管资料
3DD1000G别名：3DD1000G三极管、3DD1000G晶体管、3DD1000G晶体三极管
3DD1000G生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD1000G制作材料：Si-NPN
3DD1000G性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD1000G封装形式：直插封装
3DD1000G极限工作电压：400V
3DD1000G最大电流允许值：100A
3DD1000G最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD1000G引脚数：2
3DD1000G最大耗散功率：1000W
3DD1000G放大倍数：
3DD1000G图片代号：E-44
3DD1000Gvtest：400
3DD1000Ghtest：999900
- 3DD1000Gatest：100
3DD1000Gwtest：1000
3DD1000G代换 3DD1000G用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD1000G | 3DD1000G |   |
更新时间：2025-12-26 14:31:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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国产 |
24+ |
CAN |
5000 |
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XILINX |
BGA |
6850 |
莱克讯每片来自原厂原盒原包装假一罚十价优 |
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上海 |
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NA/ |
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