3DD1000E晶体管资料
3DD1000E别名：3DD1000E三极管、3DD1000E晶体管、3DD1000E晶体三极管
3DD1000E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD1000E制作材料：Si-NPN
3DD1000E性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD1000E封装形式：直插封装
3DD1000E极限工作电压：250V
3DD1000E最大电流允许值：100A
3DD1000E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD1000E引脚数：2
3DD1000E最大耗散功率：1000W
3DD1000E放大倍数：
3DD1000E图片代号：E-44
3DD1000Evtest：250
3DD1000Ehtest：999900
- 3DD1000Eatest：100
3DD1000Ewtest：1000
3DD1000E代换 3DD1000E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD1000E | 3DD1000E |   |
更新时间：2025-10-29 23:00:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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3DD1000E规格书下载地址
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