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3DD1000B晶体管资料

  • 3DD1000B别名：3DD1000B三极管、3DD1000B晶体管、3DD1000B晶体三极管

  • 3DD1000B生产厂家：中国大陆半导体企业

  • 3DD1000B制作材料：Si-NPN

  • 3DD1000B性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 3DD1000B封装形式：直插封装

  • 3DD1000B极限工作电压：100V

  • 3DD1000B最大电流允许值：100A

  • 3DD1000B最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 3DD1000B引脚数：2

  • 3DD1000B最大耗散功率：1000W

  • 3DD1000B放大倍数：

  • 3DD1000B图片代号：E-44

  • 3DD1000Bvtest：100

  • 3DD1000Bhtest：999900

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD1000B

3DD1000B

 

3DD1000B供应商更多...

更新时间：2025-12-25 14:47:02
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