3DA100E晶体管资料
3DA100E别名：3DA100E三极管、3DA100E晶体管、3DA100E晶体三极管
3DA100E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DA100E制作材料：Si-NPN
3DA100E性质：射频/高频放大 （HF）_功率放大 （L）
3DA100E封装形式：直插封装
3DA100E极限工作电压：200V
3DA100E最大电流允许值：5A
3DA100E最大工作频率：>140MHZ
3DA100E引脚数：2
3DA100E最大耗散功率：40W
3DA100E放大倍数：
3DA100E图片代号：E-44
3DA100Evtest：200
3DA100Ehtest：140000100
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3DA100Ewtest：40
3DA100E代换 3DA100E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE= 10(MAX)@IC= 1.5A ·Excellent Safe Operating Area ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers | ISC 无锡固电 |   |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
26+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Ametherm |
24+ |
SMD |
17900 |
NTC热敏电阻 |
|||
Vishay |
26+ |
圆片式,7.6mm 直径 x 1.5mm 宽 |
2000 |
全新原装正品 |
3DA100E规格书下载地址
3DA100E参数引脚图相关
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