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SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-30V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):-0.45V(Max)@IC=-2A APPLICATIONS ·Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifier applications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-6-17 9:54:01
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