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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES • Drain Current –ID= 30A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 95mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Switching app

ISC

无锡固电

N-channel 650 V, 0.073, 30 A MDmesh V Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Low input capacitance and gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-7-29 16:40:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
25+
TO-3PF-3
12700
买原装认准中赛美
ST/意法半导体
21+
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ST/意法半导体
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ST/意法半导体
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