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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=360A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =4mΩ(Max)@VGS= 10V ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

更新时间:2026-7-29 11:37:01
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