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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffectTransistors designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=19mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) •LowCis

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=34A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

N-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-5-25 8:56:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VB
2019
TO-251
55000
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原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;
NEC
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TO-251
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N
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TO-251
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只做原装进口现货,专注配单

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