| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) =2.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |||
3 kW Full Bridge LLC resonant digital power supply evaluation kit Features • Power ratings: – input DC voltage: 375 V to 425 V – output voltage: 48 V – maximum output current: 62.5 A – output power: 3 kW – peak efficiency: 95.3% – HF transformer isolation voltage: 4 kV • Resonant and switching frequencies: – max DC-DC switching frequency: 380 kHz (a | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件:1.00324 Mbytes Page:4 Pages | DOINGTER 杜因特 | |||
N-channel 100 V, 2.3 m廓 typ., 180 A STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFET in a TO-220 package 文件:824.74 Kbytes Page:13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
19+ |
TO220 |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST |
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