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2V7002KT1G价格
参考价格:¥0.1660
型号:2V7002KT1G 品牌:ONSemi 备注:这里有2V7002KT1G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2V7002KT1G批发/采购报价,2V7002KT1G行情走势销售排行榜,2V7002KT1G报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2V7002KT1G | SmallSignalMOSFET60V,380mA,Single,N?묬hannel,SOT??3 Features •ESDProtected •LowRDS(on) •SurfaceMountPackage •2VPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
2V7002KT1G | SmallSignalMOSFET 文件:97.75 Kbytes Page:6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
2V7002KT1G | SmallSignalMOSFET60V,380mA,Single,N.Channel,SOT.23 文件:112.26 Kbytes Page:6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
2V7002KT1G | N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件:1.00396 Mbytes Page:8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 |
2V7002KT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
2V7002KT1G
- 功能描述
MOSFET NFET 60V 115MA 7MO
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON |
2018+ |
SOT23 |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-23-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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ON |
24+ |
SOT23 |
9800 |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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ON |
23+ |
SOT-23 |
57000 |
原装正品现货 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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ON(安森美) |
24+ |
SOT-23-3 |
8053 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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ONSEMI |
21+ |
SOT-23 |
7466 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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ON/安森美 |
21+ |
SOT-23-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
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ONSEMI |
18+ROHS |
NA |
11000 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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ON/安森美 |
22+ |
SOT23 |
102000 |
原装正品 |
2V7002KT1G规格书下载地址
2V7002KT1G参数引脚图相关
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2V7002KT1G数据表相关新闻
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优势渠道
2023-2-162V7002LT1G中文产品资料功能描述
2V7002LT1G中文产品资料
2022-6-62SX1-T
2SX1-T,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ:1755232575/QQ:1157611585,微信号:87680558.
2021-2-102W08 全新原装现货
2W08,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2020-11-272W10 全新原装现货
2W10,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2020-11-272SK508G-K51-AE3-R
属性参数值 商品目录结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C时)50mA 漏源电压(Vdss)15V 类型N沟道 最大功率耗散(Ta=25°C)200mW
2020-11-12
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