2V7002KT1G价格

参考价格:¥0.1660

型号:2V7002KT1G 品牌:ONSemi 备注:这里有2V7002KT1G多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2V7002KT1G批发/采购报价,2V7002KT1G行情走势销售排行榜,2V7002KT1G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2V7002KT1G

SmallSignalMOSFET60V,380mA,Single,N?묬hannel,SOT??3

Features •ESDProtected •LowRDS(on) •SurfaceMountPackage •2VPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2V7002KT1G

SmallSignalMOSFET

文件:97.75 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2V7002KT1G

SmallSignalMOSFET60V,380mA,Single,N.Channel,SOT.23

文件:112.26 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2V7002KT1G

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:1.00396 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

2V7002KT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2V7002KT1G

  • 功能描述

    MOSFET NFET 60V 115MA 7MO

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-16 21:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SOT-23-3
8800
公司只做原装正品
ON
2018+
SOT23
11256
只做进口原装正品!假一赔十!
onsemi
23+
SOT-23-3(TO-236)
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
ON
23+
SOT23
12000
全新原装优势
ON
21+
SOT23
9000
十年信誉,只做原装,有挂就有现货!
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
Onsemi
23+
SOT23-3
18000
只做原装正品,假一罚十。
ON/安森美
22+
SOT-23
600000
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴!
Onsemi/安森美
2024
SOT-23
13876
原装现货,欢迎咨询
ON/安森美
22+
SOT23
102000
原装正品

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    优势渠道

    2023-2-16
  • 2V7002LT1G中文产品资料功能描述

    2V7002LT1G中文产品资料

    2022-6-6
  • 2SX1-T

    2SX1-T,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ:1755232575/QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-10
  • 2W08 全新原装现货

    2W08,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.

    2020-11-27
  • 2W10 全新原装现货

    2W10,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.

    2020-11-27
  • 2SK508G-K51-AE3-R

    属性参数值 商品目录结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C时)50mA 漏源电压(Vdss)15V 类型N沟道 最大功率耗散(Ta=25°C)200mW

    2020-11-12