位置：首页 > IC中文资料第4023页 > 2T4771NKE01W33433
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INFINEON | ETC |   | ||
INFINEON | ETC | | ||
INFINEON | ETC | |
2T4771NKE01W33433产品属性
- 类型
描述
- 型号
2T4771NKE01W33433
- 功能描述
IGBT 模块
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-11-24 20:00:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
24+ |
NA/ |
32 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
N/A |
QQ咨询 |
NA |
94 |
全新原装 研究所指定供货商 |
|||
24+ |
32 |
||||||
JST |
2020+ |
1000 |
只做原装，可提供样品 |
||||
JST/日压 |
2508+ |
/ |
330135 |
一级代理，原装现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
||||
JST/日压 |
24+ |
单粒端子 |
5000 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
|||
JST/日压 |
22+ |
连接器 |
728922 |
代理-优势-原装-正品-现货*期货 |
|||
FOXCONN/富士康 |
23+ |
9000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
INFINEON |
23+ |
7000 |
2T4771NKE01W33433芯片相关品牌
2T4771NKE01W33433规格书下载地址
2T4771NKE01W33433参数引脚图相关
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2T4771NKE01W33433数据表相关新闻
2SMPP-02
优势渠道
2023-2-162V7002LT1G中文产品资料功能描述
2V7002LT1G中文产品资料
2022-6-62SX1-T
2SX1-T，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-102W08 全新原装现货
2W08，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2020-11-272W10 全新原装现货
2W10，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2020-11-272SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-12
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