| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Low voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is a NPN transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage. The complementary PNP is the 2STR2230. General features ■ Very | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   |
更新时间：2026-5-24 23:00:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICRO |
25+ |
N/A |
18746 |
样件支持,可原厂排单订货! |
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STMICRO |
25+ |
N/A |
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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ST |
24+ |
SOT-23-3 |
7500 |
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ST/意法 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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ST |
16+ |
SOT23 |
12500 |
进口原装现货/价格优势! |
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ST/意法 |
22+ |
SOT-23 |
20000 |
只做原装 |
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ST |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
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ST/意法 |
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SOT-23 |
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ST |
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SOT-23 |
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十年配单,只做原装 |
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ST/意法 |
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2SX1-T，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-102W08 全新原装现货
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2020-11-272SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-122SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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