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N-Channel Silicon Power MOS-FET

Features ● High speed switching ● Low on-resistance ● No secondary breakdown ● Low driving power ● High voltage ● VGSS = ±30V Guarantee ● Avalanche-proof Applications ● Switching regulators ● UFS ● DC-DC coverters ● General purpose power amplifier

Fuji

富士通

Drain Current ?밒D=8A@ TC=25C

DESCRIPTION • Drain Current –ID=8A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) APPLICATIONS • Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor controls,relay and solenoid drivers.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 13:58:01
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    属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 50mA 漏源电压(Vdss) 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散(Ta=25°C) 200mW

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