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HIGH SPEED POWER SWITCHING

HIGH SPEED POWER SWITCHING

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08588 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

HIGH SPEED POWER SWITCHING

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 1.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-26 16:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
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