型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SK4151

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features Capable of 2.5 V gate drive Low drive current Low on-resistance RDS(on) = 1.5Ω typ. (at ID = 0.5 A, VGS = 4 V, Ta = 25°C)

RENESAS

瑞萨

2SK4151

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features Capable of 2.5 V gate drive Low drive current Low on-resistance RDS(on) = 1.5Ω typ. (at ID = 0.5 A, VGS = 4 V, Ta = 25°C)

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

2SK4151产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK4151

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-11-20 8:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS
2023+
TO-252
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
12+
TO-252
97
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
HITACHI
2023+
TO-252
50000
原装现货
SANKEN
25+
TO3P-3L
880000
明嘉莱只做原装正品现货
HIT
23+
TO-251
10000
专做原装正品,假一罚百!
TOSHIBA/东芝
2450+
TO220
6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
24+
60000
RENESAS
2511
TO-252
97
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

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    优势渠道

    2023-2-16
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    2021-6-24
  • 2SX1-T

    2SX1-T,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-10
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    属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 50mA 漏源电压(Vdss) 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散(Ta=25°C) 200mW

    2020-11-12
  • 2SK3313

    2SK3313,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-3-28
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    2SK3591-01R,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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