型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 59A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 53mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

功率MOSFET 100V-300V

Fuji

富士通

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:106.37 Kbytes Page:4 Pages

Fuji

富士通

2SK3778产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3778

  • 制造商

    Fuji Electric

  • 功能描述

    MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 250V;RDS(ON) 43 Milliohms;ID 59A;TO-247;PD 410W;VGS +/-3

更新时间:2025-12-25 17:33:00
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