型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Switching Regulator Applications

Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.5S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μ A (VDS = 600 V) • Enhancement-mode: V th = 2.0~4.0 V (V DS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08667 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2SK3760(Q,M)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3760(Q,M)

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220AB

更新时间:2025-11-23 13:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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