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High-Voltage, High-Speed Switching Applications

High-Voltage, High-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. • High reliability (Adoption of HVP process). • Attachment workability is good by Mica-less package. • Avalanche resistance guarantee.

SANYO

三洋

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 2.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 13Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET

文件:239.99 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-31 21:38:01
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    2021-6-24
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    2SX1-T,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

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