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2SK368价格

参考价格：￥0.8450

型号：2SK368-GR 品牌：TOSHIBA 备注：这里有2SK368多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SK368批发/采购报价，2SK368行情走势销售排行榜，2SK368报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SK368	Silicon N Channel Junction Type Audio Frequency and High Voltage Amplifier Applications 文件：627.51 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK368	N CHANNEL JUNCTION TYPE (AUDIO FREQUENCY AND HIGH VOLTAGE AMPLIFIER, CONSTANT CURRENT APPLICATIONS) 文件：203.33 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3681	Isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 43A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.16Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co	ISC 无锡固电	ISC
2SK3682-01	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3683	Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification Features 1. High speed switching 2. Low on-resistance 3. No secondary breadown 4. Low driving power 5. Avalanche-proof	Fuji 富士通	Fuji
2SK3683-01MR	Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification Features 1. High speed switching 2. Low on-resistance 3. No secondary breadown 4. Low driving power 5. Avalanche-proof	Fuji 富士通	Fuji
2SK3683-01MR	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3684-01L	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3684-01S	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3684-01SJ	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3685-01	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3686-01	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.57Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3687-01MR	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.57Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3688-01L	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.57Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3688-01S	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.57Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3688-01SJ	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.57Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK3689-01	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.57Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
2SK368_07	Silicon N Channel Junction Type Audio Frequency and High Voltage Amplifier Applications 文件：627.51 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3680	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.899 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3680-01	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：113.22 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3680-01_04	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：116.47 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3681-01	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：122.96 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3681-01	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：273.79 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3681-01	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	Fuji 富士通	Fuji
2SK3682-01	功率MOSFET 400V-500V	Fuji 富士通	Fuji
2SK3682-01	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：105.51 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3683	Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification	Fuji 富士通	Fuji
2SK3683	Power MOSFET 文件：1.80443 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3684-01L	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：269.5 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3684-01S	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：269.5 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3684-01SJ	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：269.5 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3685-01	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：112.01 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3685-01	POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：109.23 Kbytes Page：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK3686-01	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：108.39 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3686-01	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：201.61 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3686-01	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03223 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3686-01_05	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：201.61 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3687-01MR	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series 文件：109.3 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3687-01MR	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：202.62 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3687-01MR_05	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：202.62 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3688-01L	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：251.68 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3688-01S	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：251.68 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3688-01SJ	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：251.68 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3689-01	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：114.95 Kbytes Page：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3689-01	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：112.18 Kbytes Page：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

2SK368产品属性

类型
描述
型号
2SK368
制造商
Fuji Electric
功能描述
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 500V;RDS(ON) 0.09Ohm;ID +/-52A;TO-247;PD 600W;VGS +/-30V
制造商
Fuji Electric
功能描述
MOSFET N TO-247

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更新时间：2025-12-25 12:05:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海磐岳电子有限公司	2SK3688-01S	FUJI	2023+	TO263	58000	进口原装,现货热卖	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SK368-Y	TOSHIBA/东芝	23+	SOT-23	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SK368	TOSHIBA(东芝)	24+	NA/	8735	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	2SK368/KAG	TOSHIBA	25+	原厂原封装	86720	全新原装进口现货价格优惠本公司承诺原装正品假一赔	询价
深圳市富利微电子科技有限公司	2SK3683-01MR	FUJI	24+	TO-220F	20540	保证进口原装现货假一赔十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	2SK3688-01S-TE24R	FUJI/富士电机	2450+	TO-263	9850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SK3680	FUJITSU/富士通	25+	TO-3P/247	45000	FUJITSU/富士通全新现货2SK3680即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
深圳市中远芯科技有限公司	2SK3684-01S-TE24R	FUJI/富士电机	12+	TO263	441	原装现货	询价
深圳市中联芯电子有限公司	2SK3683-01MR	FUJI/富士电机	24+	TO-220F	9000	只做原装正品有挂有货假一赔十	询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司	2SK3683	FUJITSU/富士通	22+	TO220F	12245	现货,原厂原装假一罚十!	询价

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2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-24
2SX1-T
2SX1-T，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-10
2SK508G-K51-AE3-R
属性参数值商品目录结型场效应晶体管（JFET）连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-12
2SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
2SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28

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