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位置：首页 > IC中文资料第1611页 > 2SK368

2SK368价格

参考价格：￥0.8450

型号：2SK368-GR 品牌：TOSHIBA 备注：这里有2SK368多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SK368批发/采购报价，2SK368行情走势销售排行榜，2SK368报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SK368

SiliconNChannelJunctionTypeAudioFrequencyandHighVoltageAmplifierApplications

文件：627.51 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SK368

NCHANNELJUNCTIONTYPE(AUDIOFREQUENCYANDHIGHVOLTAGEAMPLIFIER,CONSTANTCURRENTAPPLICATIONS)

文件：203.33 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SK3681

IscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=43A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3682-01

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3683

FujiPowerMOSFETSuperFAP-GseriesTargetSpecification

Features 1.Highspeedswitching 2.Lowon-resistance 3.Nosecondarybreadown 4.Lowdrivingpower 5.Avalanche-proof

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3683-01MR

FujiPowerMOSFETSuperFAP-GseriesTargetSpecification

Features 1.Highspeedswitching 2.Lowon-resistance 3.Nosecondarybreadown 4.Lowdrivingpower 5.Avalanche-proof

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3683-01MR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3684-01L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3684-01S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3684-01SJ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3685-01

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3686-01

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3687-01MR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3688-01L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3688-01S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3688-01SJ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3689-01

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK368_07

SiliconNChannelJunctionTypeAudioFrequencyandHighVoltageAmplifierApplications

文件：627.51 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SK3680

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：260.899 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3680-01

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：113.22 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3680-01_04

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：116.47 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3681-01

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：122.96 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3681-01

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：273.79 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3682-01

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：105.51 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3683

PowerMOSFET

文件：1.80443 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
2SK3684-01L

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：269.5 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3684-01S

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：269.5 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3684-01SJ

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：269.5 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3685-01

POWERMOSFETN-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：109.23 Kbytes Page：4 Pages

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SK3685-01

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：112.01 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3686-01

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：201.61 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3686-01

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：108.39 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3686-01

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.03223 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
2SK3686-01_05

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：201.61 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3687-01MR

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETSuperFAP-GSeries

文件：109.3 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3687-01MR

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：202.62 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3687-01MR_05

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：202.62 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3688-01L

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：251.68 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3688-01S

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：251.68 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3688-01SJ

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：251.68 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3689-01

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：114.95 Kbytes Page：4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
2SK3689-01

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件：112.18 Kbytes Page：4 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

2SK368产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK368

  • 制造商

    Fuji Electric

  • 功能描述

    MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 500V;RDS(ON) 0.09Ohm;ID +/-52A;TO-247;PD 600W;VGS +/-30V

  • 制造商

    Fuji Electric

  • 功能描述

    MOSFET N TO-247

2SK368供应商更多...

更新时间：2024-6-5 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
2SK368-GR
TOSHIBA
2016+
SOT23
9000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
2SK3683-01MR--找顺乐
FUJI实际数
2020+
TO-220F
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SK3683
FUJI
20+
TO-220F
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
2SK3684-01S
FUJITSU/富士通
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
2SK3681贴片三极管
FUJITSU/富士通
24+
TO3P
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市华睿芯科技有限公司
2SK3688-01S-TE24R
FUJ
23+
TO263
20000
原厂原装正品现货
询价
深圳市正纳电子有限公司
2SK3688-01S-TE24R
FUJITSU/富士通
/ROHS.original
原封
22102
电子元件,供应 -正纳电子/ 元器件IC -MOS -MCU.
询价
深圳市宝芯创电子有限公司
2SK3683-01MR
FUJI/富士电机
18+
TO-220
25204
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票
询价
深圳市中利达电子科技有限公司
2SK3683-01MR
FUJI/富士电机
23+
TO-220F
76000
IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
2SK3681-01
FUJI/富士电机
23+
PBFREETO-247
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价

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  • 2SMPP-02

    优势渠道

    2023-2-16

  • 2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技

    2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3484-Z-E1-AZ ManufacturerPartNumber: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: NotRecommended IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP PartPackage

    2021-6-24

  • 2SX1-T

    2SX1-T，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.

    2021-2-10

  • 2SK508G-K51-AE3-R

    属性参数值 商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）50mA 漏源电压（Vdss）15V 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）200mW

    2020-11-12

  • 2SK3313

    2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-3-28

  • 2SK3591-01R

    2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-3-28

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