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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=29A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=62mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETSuperFAP-GSeries

文件:97.73 Kbytes Page:4 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

2SK3598-01SC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3598-01SC

  • 制造商

    Fuji Electric

更新时间:2024-5-16 14:08:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI
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    2021-6-24
  • 2SX1-T

    2SX1-T,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ:1755232575/QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-10
  • 2SK508G-K51-AE3-R

    属性参数值 商品目录结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C时)50mA 漏源电压(Vdss)15V 类型N沟道 最大功率耗散(Ta=25°C)200mW

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    2SK3313,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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