型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The 2SK3480 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 31 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 25 A) RDS(on)2 = 36 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 25 A) • Low Ciss: Ciss = 3600 pF TYP. • B

NEC

瑞萨

MOS Field Effect Transistor

Features ● Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 31 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 25A) RDS(on)2 = 36 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 25 A) ● Low Ciss: Ciss = 3600 pF TYP. ● Built-in gate protection diode

KEXIN

科信电子

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package

VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:334.06 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:948.95 Kbytes Page:3 Pages

DOINGTER

杜因特

2SK3480-AZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3480-AZ

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-1 23:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
4850
原装现货,当天可交货,原型号开票
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
RENESAS/瑞萨
14+
TO-263
985
NEC
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TO220
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NEC
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TO-220
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RENESAS/瑞萨
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原装正品支持实单
RENESAS/瑞萨
2025+
TO-263
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NEC
24+
TO-263
8866
RENESAS/瑞萨
24+
TO-263
21574
郑重承诺只做原装进口现货

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