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位置：首页 > IC中文资料第6187页 > 2SK346

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SK346

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：333.25 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3461

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 4.3 mΩ typ. • 4 V gate drive device • High speed switching

RENESAS

瑞萨

2SK3461L-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 4.3 mΩ typ. • 4 V gate drive device • High speed switching

RENESAS

瑞萨

2SK3461-S

N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Package with Low Thermal Resistance • 100 % Rg and UIS Tested

VBSEMI

微碧半导体

2SK3461STL-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 4.3 mΩ typ. • 4 V gate drive device • High speed switching

RENESAS

瑞萨

2SK3462

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SK3462

Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications

Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications • 4 V gate drive • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 1.2 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.2 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 100 μA (VDS= 250 V) • Enhancement mode: Vth= 1.5~3.5

TOSHIBA

东芝

2SK3466

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SK3466

TOSHIBA Field Effect Transistor

Chopper Regulator • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 µA (max) (VDS = 500 V) • Enhancement-model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

2SK3467

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK3467 is N-Channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. F

RENESAS

瑞萨

2SK3467

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION The 2SK3467 is N-Channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. FEATURES • 4.5 V drive available • Low on-state

NEC

瑞萨

2SK3467

MOS Field Effect Transistor

Features • 4.5 V drive available • Low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low gate charge QG = 55 nC TYP. (ID = 80 A, VDD = 16 V, VGS = 10 V) • Built-in gate protection diode • Surface mount device available

KEXIN

科信电子

2SK3467-ZK

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION The 2SK3467 is N-Channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. FEATURES • 4.5 V drive available • Low on-state

NEC

瑞萨

2SK3467-ZK

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK3467 is N-Channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. F

RENESAS

瑞萨

2SK3461

N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件：1.76321 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2SK3462

Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications

文件：182.89 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3462

Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications

文件：185.78 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3462

Power MOSFET (N-ch 150V VDSS 250V)

TOSHIBA

东芝

2SK3462_06

Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications

文件：182.89 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3462_10

Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications

文件：185.78 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3466

Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator Applications

文件：187.25 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3466

Chopper Regulator Applications

文件：182.81 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3466

Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V)

TOSHIBA

东芝

2SK3466_06

Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator Applications

文件：187.25 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3466_10

Chopper Regulator Applications

文件：182.81 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3467

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE

RENESAS

瑞萨

2SK3468

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：333.9 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3468

N CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：104 Kbytes Page：4 Pages

FUJI

富士通

2SK3468-01

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：122.84 Kbytes Page：4 Pages

FUJI

富士通

2SK3468-01

N CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：104 Kbytes Page：4 Pages

FUJI

富士通

2SK3468-01

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.03225 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2SK3468-01_03

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：122.84 Kbytes Page：4 Pages

FUJI

富士通

2SK3469

N CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：114.5 Kbytes Page：4 Pages

FUJI

富士通

2SK3469-01

N CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：114.5 Kbytes Page：4 Pages

FUJI

富士通

2SK3469-01MR

N CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：114.5 Kbytes Page：4 Pages

FUJI

富士通

2SK3469-01MR

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：112.66 Kbytes Page：4 Pages

FUJI

富士通

2SK3469-01MR

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：325.2 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3469-01MR_03

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：112.66 Kbytes Page：4 Pages

FUJI

富士通

2SK346产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK346

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB

2SK346供应商更多...

更新时间：2026-1-27 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
2SK3469
FUJI
2016+
TO-220F
3500
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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深圳市纳艾斯科技有限公司
2SK3469-01MR
FUJI
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TO-220F
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深圳市明嘉莱科技有限公司
2SK3461
HITACHI/日立
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158263
明嘉莱只做原装正品现货
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
2SK3465
TOSHIBA/东芝
24+
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深圳市赛美科科技有限公司
2SK3466
TOSHIBA
NA
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深圳市豪迈兴电子有限公司
2SK3467-ZK
NEC
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洪芯国际半导体（深圳）有限公司
2SK3469-01MR
FUJI
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深圳市昌和盛利电子有限公司
2SK3467-ZK
NEC
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TO-263
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深圳市胜彬电子有限公司
2SK3465
RENESAS/瑞萨
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深圳市英科美电子有限公司
2SK3462
TOSHIBA/东芝
2223+
TO-252
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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2SK346规格书下载地址

2SK346参数引脚图相关

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  • 2SMPP-02

    优势渠道

    2023-2-16

  • 2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技

    2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package

    2021-6-24

  • 2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技

    2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3105-T1B-A Manufacturer Part Number: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas Pbfree Code: Yes Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Obsolete Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP P

    2021-6-24

  • 2SK508G-K51-AE3-R

    属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW

    2020-11-12

  • 2SK3313

    2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-3-28

  • 2SK3591-01R

    2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-3-28

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