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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SK3209-E | SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=40mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=35mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | HitachiHitachi, Ltd. 日立公司 |  | | |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=40mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：324.11 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
2SK3209-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3209-E
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
日立 |
2021+ |
TO-262/263 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
3875 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
HIT |
2020+ |
LDPAK |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT-23 |
63000 |
原装正品现货 |
|||
RENESAS |
2020+ |
TO263 |
550 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
PANASONIC |
2023+ |
SMD |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
RENESAS |
21+ |
TO-220F |
1682 |
原装现货假一赔十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
54258 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
2SK3209-E芯片相关品牌
2SK3209-E规格书下载地址
2SK3209-E参数引脚图相关
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2023-2-272SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3484-Z-E1-AZ ManufacturerPartNumber: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: NotRecommended IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP PartPackage
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3105-T1B-A ManufacturerPartNumber: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas PbfreeCode: Yes RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: Obsolete IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP P
2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性参数值 商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）50mA 漏源电压（Vdss）15V 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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