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2SK1769

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Features • Low Drain-Source ON Resistance - ROS(ON) = 3.002 (Typ.) • High Forward Transfer Admittance - Ysl = 1.5S (Typ.) • Low Leakage Current - loss = 300μA (Max.) @ VDs= 600V • Enhancement-Mode - Vth = 2.0 ~ 4.0V @ Vos= 10V, b= 1mA

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-25 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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