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位置：首页 > IC中文资料第1382页 > 2SK1530

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SK1530

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION)

High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201

TOSHIBA

东芝

2SK1530

High-Power Amplifier Application

High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201

TOSHIBA

东芝

2SK1530

High-Power Amplifier Application

High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201

TOSHIBA

东芝

2SK1530

High-Power Amplifier Application

High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201

TOSHIBA

东芝

2SK1530

High-Power Amplifier Application

High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201

TOSHIBA

东芝

2SK1530

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SK1530

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：301.6 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK1530

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Power Amplifier Application

TOSHIBA

东芝

2SK1530

High-Power Amplifier Application

文件：388.89 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK1530

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION)

文件：564.12 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK1530O

High-Power Amplifier Application

High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201

TOSHIBA

东芝

2SK1530Y

High-Power Amplifier Application

High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201

TOSHIBA

东芝

2SK1530-Y

High-Power Amplifier Application

High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201

TOSHIBA

东芝

2SK1530-YF

High-Power Amplifier Application

High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201

TOSHIBA

东芝

2SK1530_06

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION)

文件：564.12 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK1530_09

High-Power Amplifier Application

文件：388.89 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK1530产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK1530

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    200V 12A 150W Gds Toshiba Fet TO-247Var N-Ch

2SK1530供应商更多...

更新时间：2025-10-18 17:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
千层芯半导体(深圳)有限公司
2SK1530
TOSHIBA
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2SK1530
NEC
24+
60000
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深圳市恒创达实业有限公司
2SK1531
TOS
17+
TO-3P
6200
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深圳市威雅利发展有限公司
2SK1531
TOSHIBA/东芝
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上海鑫科润电子科技有限公司
2SK1530-Y(F)
TOS
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2SK1530
TOSHIBA
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深圳市宇创芯科技有限公司
2SK1532
RENESAS/瑞萨
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2SK1532
TOSHIBA
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SOT-23
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2SK1530A
SONY/索尼
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  • 2SK2415-Z-E1-AZ找代理商上深圳百域芯科技

    2SK2415-Z-E1-AZ找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK2415-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK2415-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Obsolete Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Package Descriptio

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  • 2SK1485-T1

    2SK1485-T1，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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  • 2SK1985

    2SK1985，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • 2SK1985-01MR

    2SK1985-01MR，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-10-30

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