2SD859B晶体管资料

  • 2SD859B别名:2SD859B三极管、2SD859B晶体管、2SD859B晶体三极管

  • 2SD859B生产厂家:日本松下公司

  • 2SD859B制作材料:Si-NPN

  • 2SD859B性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SD859B封装形式:直插封装

  • 2SD859B极限工作电压:400V

  • 2SD859B最大电流允许值:0.75A

  • 2SD859B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SD859B引脚数:3

  • 2SD859B最大耗散功率:35W

  • 2SD859B放大倍数

  • 2SD859B图片代号:B-10

  • 2SD859Bvtest:400

  • 2SD859Bhtest:999900

  • 2SD859Batest:0.75

  • 2SD859Bwtest:35

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR

Si NPN Triple Diffused Planar AF Power Amplifier

Panasonic

松下

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) • High Collector Power Dissipation APPLICATIONS • Designed for AF power amplifier applications.

ISC

无锡固电

SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR

Si NPN Triple Diffused Planar AF Power Amplifier

Panasonic

松下

更新时间:2025-12-25 15:08:02
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